サブスレッショルド動作するMOSFETを用いた万能ガンマ補正回路

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-011

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Universal Gamma Collection Circuit composed of MOSFET operating in subthreshold region

著者名: 高山 留美(東洋大学),劉 雨瀚(東洋大学),佐野 勇司(東洋大学)

著者名(英語): Rumi Takayama(Toyo University),Yuhan Liu(Toyo University),Yuji Sano(Toyo University)

キーワード: ガンマ補正回路,サブスレッショルド動作,画像機器,ガンマ補正

要約(日本語): 半導体素子の非線形特性を利用した小規模回路によって，1以上或いは1以下の任意のガンマ値を実現するガンマ補正回路を提案した．提案回路においてはサブスレッショルド動作させたMOSFETの指数特性を用いることによって，画像入出力装置に必要なガンマ値0.19から5.2をカバーすることができた．さらに，サブスレッショルド動作するMOSFETのバイアス電流が極めて低く抑えられるため，提案回路は超低消費電力となり，LSIの微細化にも有利となった．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 418 Kバイト