CYTOP薄膜を用いた有機無機積層絶縁膜型トランジスタメモリの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-017

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Development of the organic-inorganic laminated insulating film type thin film transistor memory using CYTOP thin film

著者名: 山城 啓太(室蘭工業大学),夛田 芳広(室蘭工業大学),福田 永(室蘭工業大学)

著者名(英語): Keita Yamashiro(Muroran Institute of Technology),Yoshihiro Tada(Muroran Institute of Technology),Hisashi Fukuda(Muroran Institute of Technology)

キーワード: 半導体,有機薄膜

要約(日本語): 旭硝子製CYTOPを電荷蓄積層とする有機薄膜トランジスタ(Organic Thin Film Transistor : OTFT)を作製し、メモリデバイスへの応用を検討した。ゲート絶縁膜にシリコン酸化膜、チャネル層にp型有機半導体であるペンタセンを用いた。作製したOTFTはエンハンスメント型で、移動度は1.57×10^-4 cm²/Vsであり、ON/OFF比は4.64×10³であった。次にOTFTのゲートに正バイアス、負バイアスをそれぞれ印加して伝達特性を測定した。バイアス印加しない状態でのしきい値電圧は-25Vであった。正バイアス時に得られるOTFTのしきい値電圧と負バイアス時に得られるしきい値の差をとると、1.4V程度しきい値電圧のシフトが得られたため、メモリ特性が確認された。これによりCYTOP薄膜への電荷蓄積が確認できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 271 Kバイト