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ZnOナノ粒子修飾カーボンナノチューブガスセンサ二酸化窒素応答におけるZnOナノ粒子修飾量の影響

ZnOナノ粒子修飾カーボンナノチューブガスセンサ二酸化窒素応答におけるZnOナノ粒子修飾量の影響

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-092

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Influence of ZnO Nanoparticles Modification on Carbon Nanotube Gas Sensor for Detection of NO2

著者名: 井上 翔太(九州大学),熊 暁(九州大学),難波 佑至(九州大学),中野 道彦(九州大学),末廣 純也(九州大学)

著者名(英語): Inoue Shota(Kyushu University),Xiong Xiao(Kyushu University),Yushi Nanba(Kyushu University),Michihiko Nakano(Kyushu University),Suehiro Junya(Kyushu University)

キーワード: カーボンナノチューブ,酸化亜鉛,二酸化窒素,ガスセンサ,誘電泳動,ヘテロ接合

要約(日本語): 我々は誘電泳動力を利用した誘電泳動集積法により、ZnOナノ粒子を修飾したカーボンナノチューブ(CNT)ガスセンサを作製した。二酸化窒素中でのセンサ動作を確認したところ、抵抗が一度急速に上昇した後、徐々に減少する応答を示した。CNT、ZnOのみのセンサでは、抵抗は徐々に増減する応答を示すため、この2種の材料の組み合わせだけではこの急速な応答を説明することはできない。そこで、センサと二酸化窒素分子の間の電子移動に加え、p型半導体(CNT)とn型半導体(ZnO)のナノ界面でヘテロ接合による空乏層生成が抵抗を急激に上昇させていると考えた。このセンサのメカニズムはガス検出における高速応答という点に於いて有用であると考えている。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 743 Kバイト

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