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圧電PZT薄膜の多層積層のための電極成膜条件の検討

圧電PZT薄膜の多層積層のための電極成膜条件の検討

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-142

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Investigation of Sputtering Condition of Electrode Metal for Multimorph Structure of PZT Thin Films

著者名: 中本 翔満(兵庫県立大学),佐野 良(兵庫県立大学),神田 健介(兵庫県立大学),藤田 孝之(兵庫県立大学),前中 一介(兵庫県立大学)

著者名(英語): Shoma Nakamoto(University of Hyogo),Ryo Sano(University of Hyogo),Kanda Kensuke(University of Hyogo),Fujita Takayuki(University of Hyogo),Maenaka Kazusuke(University of Hyogo)

キーワード: 積層,残留応力,全応力,電極,PZT,膜剥がれ

要約(日本語): 積層圧電アクチュエータの発生力は積層数の二乗に比例するため,積層膜中の残留応力を制御し,より層数の多い積層膜を実現することで,電圧あたり発生力を飛躍的に増加させることが可能である. しかし, 先行研究において4層積層まで成功しているが,積層数を6層まで増加させるとプロセス時に応力による膜剥がれが起きることが分かった. そこで応力低減のために電極の成膜温度を変化させ, 残留応力の算出を行ったところ低温で成膜すると応力が低減されることが分かった. また, 低温で成膜後にアニールを行うことで従来よりも応力を低減でき,かつ圧電特性が得られることを確認し, 8層程度積層可能であることが分かった.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 370 Kバイト

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