仮焼成温度を変えたゾル・ゲルPZT薄膜のMEMSダイアフラム上とウェハ上での残留応力評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-143

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Residual stress of sol-gel PZT thin films prepared under various calcination temperatures on MEMS diaphragms and wafers

著者名: 塩見 丈(京都工芸繊維大学),山下 馨(京都工芸繊維大学),荒井 開人(京都工芸繊維大学),西海 太貴(京都工芸繊維大学),野田 実(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Jo Shiomi(Kyoto Institute of Technology),Kaoru Yamashita(Kyoto Institute of Technology),Kaito Arai(Kyoto Institute of Technology),Taiki Nishiumi(Kyoto Institute of Technology),Minoru Noda(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: PZT,残留応力,ダイアフラム,撓み,超音波センサ

要約(日本語): 圧電ダイアフラム型MEMS超音波センサにおいて，高感度化に寄与するダイアフラムの静的撓みを決定するPZT薄膜の残留応力の評価を行った。Pt/Ti電極を製膜した熱酸化シリコンウェハ上へゾル・ゲル法によりPZT薄膜を形成し，ウェハの反り量およびシリコンを裏面から除去して形成したダイアフラムの撓み量の双方からPZTの発生力を算出した。ゾル・ゲル製膜における仮焼成温度に300℃，350℃，400℃の3通りのサンプルを評価したところ，ウェハの反りとダイアフラム撓みによる評価はいずれも近い発生力の値を示し，仮焼成温度では400℃において発生力が小さく，撓み量増大により高感度化に有利である事を確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 413 Kバイト