Si-IGBTおよびSiC-MOSFETを用いた高周波リンクAC/DCコンバータの比較検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Comparison of High-Frequency Link AC/DC Converter using Si-IGBT and SiC-MOSFET

著者名: 松井 優人(名古屋工業大学),鈴木 一馬(名古屋工業大学),竹下 隆晴(名古屋工業大学)

著者名(英語): Yuto Matsui(Nagoya Institute of Technology),Kazuma Suzuki(Nagoya Institute of Technology),Takaharu Takeshita(Nagoya Institute of Technology)

キーワード: 高周波リンクAC/DCコンバータ,効率・損失測定,SiC-MOSFET,Si-IGBT,導通損

要約(日本語): 近年，地球環境問題の深刻化により，省資源・省エネルギー化が求められており，電気自動車やリチウムイオン電池などの電力貯蔵装置の開発・普及が進められている。この電力貯蔵装置を系統連系するためには電力変換器が必要であり，安全面からトランスで絶縁されていることが要求され，絶縁型AC/DC コンバータの需要が高まっている。また，SiCデイスの開発により，従来のSiデバイスを使った機器に比べより小型・高効率になると考えられる。本論文では，高周波リンクAC/DCコンバータの試作システムにおいて，Si-IGBTおよびSiC-MOSFETを用いて，双方の効率測定と電力損失測定実験を行った。その実験結果より，SiC-MOSFETを用いたAC/DC コンバータの方が一次側コンバータと二次側ダイオードでの損失が低減できており，効率の上昇が確認できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 863 Kバイト