SiC-MOSFETによる無アーク低ノイズ開閉器

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): No-ARC Low-Noize Switches using SiC-MOSFET

著者名: 嶋田 隆一(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学)

著者名(英語): Ryuichi Shimada(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba)

キーワード: SiC-MOSFET,遮断器

要約(日本語): シリコン・カーバイド（SiC）半導体は，シリコンより高耐電圧で高温に耐える。金属のアーク接点が主であったスイッチ，開閉器，遮断器を無アーク化して，高性能，長寿命，低ノイズ化が可能である。しかし金属接点に比べて，導通損の点ではまだ1桁以上劣る。そこで半導体スイッチと金属接点の良いところを組み合わせて，通電は金属接点で，遮断は半導体でというハイブリッドな開閉器が提案されている。本論文では，双投スイッチを用い，半導体スイッチのゲート駆動を簡単な構成で可能にするハイブリッド開閉器と，MOSFETの活性領域を使った開閉サージの抑制について紹介する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 462 Kバイト