SiC-MOSFETの直列接続時におけるゲート信号遅延と電圧分担の実験検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-008

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Experimental Verifications of Relationship Between Gate Signal Delay and Voltage Sharing in Series Connection of SiC-MOSFET

著者名: 神宮 克哉(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Katsuya Shingu(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: SiC-MOSFET,直列接続,ゲートドライブ

要約(日本語): 近年，SiCパワーデバイスの研究開発が盛んにおこなわれており，1,200 V耐圧のMOSFETが市販されるようになってきた。しかしながら高耐圧素子については研究開発段階であることから，現時点では入手が困難である。パワーデバイスの直列接続技術はこれまで盛んに検討されてきているが，本論文ではSiC-MOSFETを対象として1,200 V耐圧の素子を直列接続するための技術として，ゲート信号遅延と電圧分担の関係について実験により検討したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 245 Kバイト