650V SiC-MOSFET スイッチング損失測定の試み

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): A study on switching loss measurement of a 650V SiC-MOSFET

著者名: 木口 龍雅(千葉工業大学),西田 保幸(千葉工業大学)

著者名(英語): Ryoga Kiguchi(Chiba Institute of Technology),Yasuyuki Nishida(Chiba Institute of Technology)

キーワード: スイッチング,SiC-MOSFET,スイッチング損失,SiC

要約(日本語): 近年、高耐圧、低スイッチング損失、かつ、動作が高速であるワイドギャップ半導体が注目されている。 しかし、MOSFETの動作が高速であるがゆえにスイッチング損失の測定と特定が困難であるし、回路上の様々な要因でスイッチング損失が大きく変化する。 そこで、SiC-MOSFETであるROHM社製SCT2120AFをターゲットにスイッチング試験回路を試作し、ダブルパルス法を用いてスイッチング損失測定を試みた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 533 Kバイト