13.56MHzスイッチング動作に向けたSiC MOSFETとJFETの動特性の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-011

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Evaluation of Dynamic Characteristics of SiC MOSFET and JFET for Switching at 13.56MHz

著者名: 稲森 奨(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Sho Inamori(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: SiC パワーMOSFET,SiC パワーJFET,ダブルパルス試験

要約(日本語): ?近年、SiCパワーデバイスを用いた電力変換回路の幅広い利用が検討されている。特に車載などの用途では、電力変換回路の小型軽量化が要求される。スイッチング周波数を高くすることで小型軽量化できる。本稿では、SiC MOSFETを駆動するゲートドライバに着目し、ISMバンドのひとつである13.56MHzでのスイッチングを目標とする。特に、SiC MOSFETおよびJFETに着目し、ダブルパルス試験によりこれらの動特性の測定を行った。その結果、JFETは、すべてのゲート抵抗においてMOSFETよりスイッチング速度が速いことが確認できた。ゲート抵抗が20Ωのとき、JFETの立ち上がり時間、立ち下がり時間はMOSFETの6%、14%となった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 335 Kバイト