高耐圧SiC-MOSFETの損失比較と同期整流方式の基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Study on synchronous rectification and comparison of the losses for high-voltage SiC MOSFETs

著者名: 西野 祥平(茨城工業高等専門学校),佐々木 亮介(茨城工業高等専門学校),長洲 正浩(茨城工業高等専門学校)

著者名(英語): Shohei Nishino(Ibaraki College National Institute of Technology),Ryosuke Sasaki(Ibaraki College National Institute of Technology),Masahiro Nagasu(Ibaraki College National Institute of Technology)

キーワード: SiCMOSFET,同期整流,高耐圧

要約(日本語): 最近注目されているSiCは、絶縁破壊電界がSiの約10倍であることから、導通領域の厚さを1/10にすることができるため、高耐圧なユニポーラ素子を実現することができる。先行研究では、SiCデバイスを使用するとスイッチング損失が数分の1程度になること、同期整流の有用性が確認された。本研究では、さらにスイッチング損失の電圧およびゲート抵抗依存性を確認し報告する。評価より、SiとSiCデバイスのターンオン・オフ損失の評価電圧依存性とゲート抵抗依存性を確認でき、SiCは主にターンオン損失の低減に大きな効果があることが分った。今後は同期整流を行った場合のデットタイム依存性評価を行い、同期整流を実施するための課題の明確化を目標とする。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 353 Kバイト