表面電位に基づくSiCパワーMOSFETモデルを用いたE級増幅器の回路シミュレーションに関する検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-013

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): A Case Study on Circuit Simulation of Class-E Amplifier Using Surface-Potential-Based SiC Power MOSFET Model

著者名: 新谷 道広(京都大学),廣本 正之(京都大学),佐藤 高史(京都大学)

著者名(英語): Michihiro Shintani(Graduate School of Informatics, Kyoto University),Masayuki Hiromoto(Graduate School of Informatics, Kyoto University),Takashi Sato(Graduate School of Informatics, Kyoto University)

キーワード: SiCパワーMOSFET,E級増幅器,回路シミュレーション,デバイスモデル

要約(日本語): パワーMOSFETの材料として，高耐圧化，高耐温化，高周波化を可能とするSiCに注目が集まっている．電力変換回路にSiC パワーMOSFET を用いることで，回路の一層の性能向上が期待される．特に，E級電力変換回路に代表される共振型回路の設計では，回路シミュレーションによる回路定数の最適化が重要となる．我々の研究グループは表面電位モデルに基づくSiCパワーMOSFETモデルを提案しており，本稿では，回路シミュレーションによるE級増幅器の設計例を通じて，表面電位モデルが設計に適用可能であることを示す．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 184 Kバイト