SiC-MOSFETボディダイオードのデッドタイム短縮によるリカバリ損失低減効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-017

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): The Influence of Dead Time on the Reverse Recovery Behavior of the SiC-MOSFET Body Diode

著者名: 小島 領太(デンソー),丹羽 章雅(デンソー),山田 隆弘(デンソー),笹谷 卓也(デンソー),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Ryota Kojima(DENSO CORP.),Akimasa Niwa(DENSO CORP.),Takahiro Yamada(DENSO CORP.),Takanari Sasaya(DENSO CORP.),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba)

キーワード: SiC-MOSFET,ボディダイオード,デッドタイム,リカバリ

要約(日本語): SiC-MOSFETはSi-IGBTに対して，スイッチング損失の低減や小電流域での導通損失の低減が期待されている。さらに，ボディダイオード利用による外付け還流ダイオード（FWD）レス化が期待されているが，リカバリ損失の低減が課題である。リカバリ損失の低減方法について，Si素子では，デッドタイムを短縮することによりリカバリ特性を改善する手法が報告されているが，SiC-MOSFETボディダイオードでは報告されていない。本研究では，SiC-MOSFETボディダイオードのダイオード導通時間短縮によるリカバリ損失低減効果を実験的に検証した。その結果，デッドタイム短縮によってSiC-MOSFETボディダイオードのリカバリ損失を低減できることを示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 238 Kバイト