インバータ保護動作を想定したSiC-MOSFETボディダイオードVf劣化評価方法の提案

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-018

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): The Proposition of SiC-MOSFET Body Diode Vf Degradation Evaluation Method that Inverter Protection was Assumed

著者名: 葛巻 淳彦(東芝),新妻 孝則(東芝),松本 脩平(東芝),餅川 宏(東芝)

著者名(英語): Kuzumaki Atsuhiko(Toshiba Corporation),Niizuma Takanori(Toshiba Corporation),Matsumoto Shuhei(Toshiba Corporation),Mochikawa Hiroshi(Toshiba Corporation)

キーワード: SiC,ボディダイオード,Vf劣化,信頼性

要約(日本語): オールSiCインバータの適用デバイスは、SiC-MOSFETとSiC-SBDの組み合わせが多い。SiC-MOSFETボディダイオードを利用すれば、SiC-SBDレス化が可能となり、半導体チップ面積削減による、モジュール小型化が望める。しかし、SiC-MOSFETボディダイオードは、結晶欠陥などによる、Vf劣化の信頼性問題がある。インバータ交流短絡事故の大電流を遮断すると、その大電流は、ダイオードを通して還流する。今回、この還流電流を想定した、1.2kV SiC-MOS FETボディダイオードのVf劣化評価を実施したので、その結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 208 Kバイト