SiCパワーデバイスの過渡熱抵抗測定に関する一検討―SiC MOSFETにおけるゲート閾値電圧の動的変化の影響―

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-019

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): A Study on Transient Thermal Resistance Measurement of SiC Power Devices

著者名: 舟木 剛(大阪大学),福永 崇平(大阪大学)

著者名(英語): Tsuyoshi Funaki(OSAKA University),Shuhei Fukunaga(OSAKA University)

キーワード: 過渡熱抵抗,パワーデバイス,SiC MOSFET,Si MOSFET,SIC SBD,Si PiNダイオード

要約(日本語): 本論文では、熱設計に必要なパワーデバイスの熱抵抗測定法について検討する。Static法による過渡熱抵抗測定をSi、SiCそれぞれに適用する。 ダイオードについてはSi、SiCに関わらず、Static法による過渡熱抵抗測定が可能である。MOSFETでは、Siは妥当な結果が得られるが、SiCでは温度算出にゲート閾値電圧の動的変化の影響を受けるため、被測定デバイスのK-ファクタを用いた温度算出では、過渡熱抵抗の測定が難しい。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 503 Kバイト