パワーデバイスの電圧電流定格を考慮したスイッチング評価時の寄生インダクタンス検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-020

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Design of Stray Inductance for Switching Test considering Voltage and Current Rating of Power Device

著者名: 安東 正登(首都大学東京),林 真一郎(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Masato Ando(Tokyo Metropolitan University),Shinichiro Hayashi(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 寄生インダクタンス,SiC,キャパシタ

要約(日本語): 近年，電力変換回路の小型・高効率化を目的として，SiCやGaNを用いたパワーデバイスの開発が盛んにおこなわれている。パワーデバイスのスイッチング試験において，主回路寄生インダクタンスはサージ電圧やスイッチング損失に影響を与えるため特性評価における重要なパラメータである。主回路バスバー配線の寄生インダクタンス設計は提案されているが，キャパシタを含めたスイッチング試験装置の一般化した設計指針は検討されていない。本論文は主回路寄生インダクタンスの規格化を用いることで，パワーデバイスの電圧・電流定格およびスイッチング時間を考慮したスイッチング試験装置の検討方法を示す。さらに，SiC-MOSFETを用いた500 V，400 Aのスイッチング試験により，主回路配線やキャパシタを含めた寄生インダクタンス設計指針を示す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 952 Kバイト