回路シミュレーション用高精度デバイスモデルを用いたIGBTゲート駆動条件の一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-023

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): A Study of the IGBT Gate Driving Conditions employing a High Precision Device Model for Circuit Simulation

著者名: 吉田 大智(富士電機),上村 浩文(富士電機),松本 寛之(富士電機),藤本 久(富士電機),大熊 康浩(富士電機)

著者名(英語): Daichi Yoshida(Fujielectric. co. Ltd.),Hirofumi Uemura(Fujielectric. co. Ltd.),Hiroyuki Matsumoto(Fujielectric. co. Ltd.),Hisashi Fujimoto(Fujielectric. co. Ltd.),Yasuhiro Ohkuma(Fujielectric. co. Ltd.)

キーワード: シミュレーション,デバイスモデル,IGBT,ゲート駆動

要約(日本語): ハードウェア実験によるゲート駆動条件の検討には時間的にも物質的にも大きな労力が必要である。そこで、高精度デバイスモデルを用いたスイッチング特性解析モデルを作成し、回路シミュレーションによりゲート駆動条件の変化がサージ電圧とスイッチング損失に与える影響の検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 711 Kバイト