低ノイズ・高効率なスーパージャンクションMOSFETの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-028

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Development of a Low-Switching Noise and High-Efficiency Superjunction MOSFET

著者名: 前田 涼(富士電機),菅井 勇(富士電機),坂田 敏明(富士電機),新村 康(富士電機),竹野入 俊司(富士電機),皆澤 宏(富士電機),渡邉 荘太(富士電機),島藤 貴行(富士電機)

著者名(英語): Ryo Maeta(Fuji Electric Co.),Isamu Sugai(Fuji Electric Co.),Tohiaki Sakata(Fuji Electric Co.),Yasushi Niimura(Fuji Electric Co.),Shunji Takenoiri(Fuji Electric Co.),Hiroshi Minazawa(Fuji Electric Co.),Sota Watanabe(Fuji Electric Co.),Takayuki Shimatoh(Fuji Electric Co.)

要約(日本語): 低損失・低ノイズ化を実現する次世代SJ-MOSFET(Super J MOS^? S2、以下S2)を開発したので、その特性について報告する。S2のRonAは当社従来製品(Super J MOS^? S1、以下S1)と比較して25%低減している。また、S2ではスイッチング時の電圧変化を、デバイス内部に設けたゲート抵抗とSJ層の濃度分布により決定される容量成分によって制御することで、S1と比較して低いEMIノイズ特性と高効率を実現した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 630 Kバイト