走査型容量原子間力顕微鏡による空乏層の可視化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-032

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Visualization of the depletion layer by scanning capacitance force microscopy with Kelvin probe force microscopy

著者名: 潤間 威史(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)

著者名(英語): Uruma Takeshi(Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh(Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto(Chiba Institute of Technology)

キーワード: 表面電位,原子間力顕微鏡,空乏層,ショットキーバリアダイオード,ケルビンプローブフォース顕微鏡

要約(日本語): 走査型プローブ顕微鏡の一つである，AFM/KFM/SCFMの複合装置を開発し，空乏層の可視化を行った．市販のシリコン製ショットキーバリアダイオード（Si-SBD）を断面研磨し，その界面領域を，我々が開発しているAFM/KFM/SCFMによって観察した．逆バイアス印加による表面形状の差異は見られない．しかし，ケルビンプローブ力顕微鏡による電位観察からショットキー接合部の推定，及び走査型容量原子間力顕微鏡による，空乏層領域の可視化をSi-SBDへの逆バイアス印加観測により行った．結果から，空乏層幅の見積もりとエネルギーバンド図の描画を行い，当該装置をデバイス観察に適用可能であることが分かった．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 583 Kバイト