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q-ZソースインバータにおけるMOSFETを用いたダイオードの損失低減に関する実験的検討

q-ZソースインバータにおけるMOSFETを用いたダイオードの損失低減に関する実験的検討

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-083

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Experimental Investigation of Diode Loss Reduction Using MOSFET in q-Z-source Inverter

著者名: 飯嶋 竜司(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Ryuji Iijima(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba)

キーワード: Zソースインバータ,上下短絡,SiC-MOSFET

要約(日本語): q-Zソースインバータは、インバータ単体での昇圧・インバータ動作が可能であり、小型化を必要とされるEV 等の電力変換器として利用が期待されている。しかし、本回路方式は、インピーダンスソース内のダイオードにより、電源への回生動作が行うことが出来ない。そこで、ダイオードに並列にスイッチングデバイスを接続し、回生動作に対応した回路方式が提案されている。本研究では、このスイッチングデバイスを、双方向導通可能なMOSFETとすることを提案する。これにより電源への回生動作に加え、力行時にダイオードに同期して制御することで、素子電流の分流による導通損失低減が見込める。今回は、この提案の実験的検討の結果について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 321 Kバイト

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