GaN-HFETを適用した非接触給電ZVS共振形コンバータの実測効率特性?SJ-MOSFET適用との相互比較?

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-103

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Actual-Efficiency Evaluation of a GaN-HFET-applied Zero Voltage Soft-Switching Resonant Converter for Inductive Power Transfers - Comparative Study with Super-Junction(SJ) MOSFET-based Prototype -

著者名: 森田 栄太郎(神戸大学),三島 智和(神戸大学)

著者名(英語): Eitaro Morita(Kobe University),Tomokazu Mishima(Kobe University)

キーワード: 共振形コンバータ,非接触給電応用,GaNパワーデバイス,ソフトスイッチング,高周波スイッチング,高効率化

要約(日本語): 高速かつ低オン抵抗など優れた特性を有する窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタに着目し，筆者らは先に，単体でノーマリーオフを実現した600V耐圧のGaN-Heterojunction Field Effect Transistor(HFET)を電磁誘導方式非接触給電(IPT)ゼロ電圧ソフトスイッチング(ZVS)共振形コンバータ(以下，IPT-ZVSコンバータ)に適用して，その有用性を実証している。 本稿では，定格900[W]の試作器を基に，同耐圧かつ同電流定格のSuper-Junction(SJ) MOSFETとの相互比較により，GaN-HFETを適用したIPT-ZVSコンバータの有用性を実証する。特に，GaN-HFETの順方向および逆導通FETモードによる優れた効率特性を明らかにしたので，その結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 581 Kバイト