フルSiC適用HVDC向けMMC変換器における半導体損失の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-146

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Semiconductor loss calculation of Full-SiC devices applied MMC-based HVDC system

著者名: 石井 佑季(三菱電機),森 修(三菱電機),小柳 公之(三菱電機)

著者名(英語): Ishii Yuki(Mitsubishi Electric Corporation),Osamu Mori(Mitsubishi Electric Corporation),Koyanagi Kimiyuki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: MMC,SiC,損失計算,HVDC

要約(日本語): 近年、欧州を中心として洋上風力発電の導入が急伸し、自励式のHVDC向けマルチレベル変換器の世界市場規模が拡大している。このような背景のもと、当社ではMMC型のHVDC向けマルチレベル変換器について研究開発を進めてきた。本稿では、HVDC向けMMC変換器にフルSiC（SiC-MOSFET+SiC-SBD）を適用した場合の半導体損失について検討した結果を報告する。検討対象としたフルSiC素子は3.3kV/1.5kA定格品であり、半導体損失はデータシート記載のIV特性、スイッチング損失特性から求めた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 278 Kバイト