3レベルセルインバータのP側/N側突き合わせ構造

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-238

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): P-side and N-side Butt Structure of the 3 Level Cell Inverter

著者名: 稲政 圭祐(東芝三菱電機産業システム),上谷 賢司(東芝三菱電機産業システム),椋木 誠(東芝三菱電機産業システム)

著者名(英語): Keisuke Inamasa(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation),Kenji Uetani(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation),Makoto Mukunoki(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation)

キーワード: 高圧マルチレベルインバータ,突き合わせ構造,直列配置

要約(日本語): 昨今の地球温暖化問題への意識の高まりから、産業分野向け電動機へのインバータ装置適用が拡大している。高圧単機電動機向けインバータ装置において、セルインバータを直列・多段接続した高圧マルチレベルインバータが実用化されているが、装置小型化のために、(1)回路インダクタンス低減によるスナバレスの実現、(2) 素子と平滑コンデンサの適切配置による冷却効率の向上、の二点をポイントとしてセルインバータの開発を行った。P側とN側を突き合わせ構造とすることで回路インダクタンスを低減し、素子と平滑コンデンサを直列配置することで冷却効率向上させることができた。これにより、装置の小型化を実現した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 240 Kバイト