超伝導バルク磁石における人工的な欠陥の位置と捕捉磁場特性の関係

カテゴリ: 全国大会

論文No: 5-108

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Relationship between a position of an artificial defect and a trapped field characteristic in a superconducting bulk magnet

著者名: エランダ クラワンシャ(足利工業大学),趙 元鼎(足利工業大学),横山 和哉(足利工業大学),岡 徹雄(新潟大学)

著者名(英語): Kulawansha Eranda(Graduate School of Engineering, Ashikaga Institute of Technology),Yuanding Zhao(Graduate School of Engineering, Ashikaga Institute of Technology),Kazuya Yokoyama(Ashikaga Institute of Technology),Tetsuo Oka(Niigata University)

キーワード: 超伝導バルク磁石,パルス着磁,捕捉磁場,結晶成長境界

要約(日本語): 近年，超伝導バルク体の大型・高特性に伴い，パルス磁化法で大きな磁場をさせることが難しくなりつつある。そこで，試料の一部に意図的に欠陥を導入したバルク体を考案した。これまでは特性の低い結晶成長領域（Growth Sector Region; GSR）に細孔を加工してきたが，本文では特性の高い結晶成長境界（Growth Sector Boundary; GSB）に加工し，磁場侵入時の磁気シールドを低減させて，磁場を侵入し易くすることを試みた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 567 Kバイト