SiC-MOSFET型モデル遮断器の直流限流遮断－ゲート・ソース間電圧の2段階低下方式－

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-027

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Direct Current Interruption of SiC-MOSFET Model Circuit Breaker ?Two-Step Reduction in Gate-Source Voltage ?

著者名: 横水 康伸(名古屋大学),玉尾 一真(名古屋大学),大橋 亮介(名古屋大学),松村 年郎(名古屋大学)

著者名(英語): Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Kazuma Tamao(Nagoya University),Ryosuke Ohashi(Nagoya University),Toshiro Matsumura(Nagoya University)

キーワード: 遮断器,パワー半導体,直流遮断,SiC

要約(日本語): パワー半導体による直流電流の限流遮断方式を提案してきた。近年では，SiC系MOSFET素子型モデル遮断器において，ゲート・ソース間電圧を2段階で低下する制御回路を考案した。同モデル遮断器に直流遮断を課した。その結果，遮断時間の短縮だけでなく，遮断限界の向上にも有効であることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 346 Kバイト