SiC-MOSFET型直流モデル遮断器の突入電流遮断限界と遮断時間

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-028

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Direct Current Interrupting Limitation and Its Interrupting Time of SiC-MOSFET Model Circuit Breaker

著者名: 横水 康伸(名古屋大学),玉尾 一真(名古屋大学),大橋 亮介(名古屋大学),松村 年郎(名古屋大学)

著者名(英語): Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Kazuma Tamao(Nagoya University),Ryosuke Ohashi(Nagoya University),Toshiro Matsumura(Nagoya University)

キーワード: 直流遮断器,パワー半導体,SiC-MOSFET

要約(日本語): 筆者らはパワー半導体を用いた低圧直流用遮断器を提案し，Si-IGBT 素子を用いたモデル器を試作してその特性評価を行ってきた。本報では，Si-IGBT の代わりにSiC-MOSFETを用いたモデル遮断器において突入電流通電実験を実施した。平常時，モデル器は素子のゲート・ソース間電圧を15Vに保つ。電流遮断時にはゲート・ソース間電圧を時定数5msで低下させることで，ドレイン・ソース間の抵抗は時間とともに上昇し，電流を限流遮断する。実験では，抵抗器，コイルおよび投入器を介し，モデル器を120Vの直流電源に接続した。コイルのインダクタンスを0.17?4.2mHに設定し，モデル器に様々なピーク値の突入電流の遮断責務を課した。同実験から，モデル器の遮断限界およびモデル器が電流を14ms以内に遮断達成できることを明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 395 Kバイト