Impedance Transformerにおける浮遊容量及びプローブの影響についての検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-034

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Study on the effects of stray capacitance and probe in Impedance Transformer

著者名: 西原 亮輔(日本大学),中西 哲也(日本大学)

著者名(英語): Ryosuke Nishihara(College of Industrial Technology),Tetsuya Nakanishi(College of Industrial Technology)

キーワード: インピーダンストランスフォーマー|浮遊容量|プローブ

要約(日本語): 現在、がん治療に最も効果的な重粒子線照射法としてスポットスキャニング法がある。しかし、多数のスポットに照射するため高速制御が必要である。ビーム取り出し法として、RFKO装置とパルス四極電磁石（PQ）を用いたQAR法が適している。QAR法に使用する周波数は1?17[MHz]である。RFKO装置はIT（Impedance Transformer）とAPN（All Pass Network）で構成され、ITの高効率化を研究の目的としている。ITの特性劣化の原因と考えられるトランスの浮遊容量についてLTspiceを用いた回路解析により検討した。その結果、トランスの浮遊容量が特性に影響することが分かった。一方、高周波プローブの静電容量が測定結果に影響していることが分かった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 421 Kバイト