弱電離気体プラズマの解析(CXXXVIII) - C3F8ガスの電子輸送係数の測定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-064

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル：弱電離気体プラズマの解析(CXXXVIII) - C₃F₈ガスの電子輸送係数の測定

タイトル(英語): Studies on weakly ionized gas plasma(CXXXVIII) - Measurement of electron transport coefficients in C₃F₈ gas

著者名: 山口 大地(室蘭工業大学),川口 悟(室蘭工業大学),高橋 一弘(室蘭工業大学),佐藤 孝紀(室蘭工業大学),伊藤 秀範(室蘭工業大学)

著者名(英語): Daichi Yamaguchi(Muroran Institute of Technology),Satoru Kawaguchi(Muroran Institute of Technology),Kazuhiro Takahashi(Muroran Institute of Technology),Kohki Satoh(Muroran Institute of Technology),Hidenori Itoh(Muroran Institute of Technology)

キーワード: 電子輸送係数|二重シャッタードリフト装置|ATS法|C3F8ガス

要約(日本語): 二重シャッタードリフト装置を構築してE/N = 300 ~ 1000 Tdの範囲におけるC₃F₈ガス中の電子到着時間分布を測定するとともに，到着時間分布(Arrival Time Spectra : ATS)解析によりC₃F₈ガスの電子輸送係数を算出し，従来の実測値と比較した。電子到着時間分布はシャッター間距離が増加するに従い，電離増倍するとともに，分布は遅れて現れた。得られた分布から計算した平均到着時間はシャッター間距離に対して非常に良い直線性を示し，これを基に算出したC₃F₈ガス中の電子ドリフト速度はE/N = 300 ~ 500 Tdにおいて従来の実測値に近い値となった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 313 Kバイト