Ar/CH4/H2誘導熱プラズマ照射による単結晶ダイヤモンド成長に対する照射基板位置の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-107

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル：Ar/CH₄/H₂誘導熱プラズマ照射による単結晶ダイヤモンド成長に対する照射基板位置の影響

タイトル(英語): Influence of Substrate Position on Monocrystalline Diamond Growth by Ar/CH₄/H₂ Inductively Coupled Thermal Plasmas Irradiation.

著者名: 別院 利城(金沢大学),荒井 隆志(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),川浦 廣(シー・ヴィ・リサーチ)

著者名(英語): Toshiki Betsuin(Kanazawa University),Takashi Arai(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: 誘導熱プラズマ|単結晶ダイヤモンド|熱解離|化学気相蒸着法

要約(日本語): 本論文では，Ar/CH ₄/H₂ 誘導熱プラズマ(ICTP)照射による単結晶ダイヤモンド成長に対する照射基板位置の影響を検討した。筆者らは， ICTP を単結晶ダイヤモンド基板成長に応用することを検討している。今回，ダイヤモンド基板を異なる軸方向位置に設置し，熱プラズマを照射した。これは，熱プラズマの温度および構成ラジカルは，熱プラズマトーチに対する軸方向位置によって大きく変化するからである。熱プラズマ照射後のダイヤモンド基板表面を光学顕微鏡およびラマン分光分析により評価した。その結果，ダイヤモンド基板の軸方向位置を調整することで，単結晶ダイヤモンド基板表面様相およびその組成が大きく変化することを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 208 Kバイト