ループ型Ar/O2誘導熱プラズマによるSiC基板の表面酸化試験

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-111

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル：ループ型Ar/O₂誘導熱プラズマによるSiC基板の表面酸化試験

タイトル(英語): Trial Application of Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas to Rapid Surface Oxidation of SiC Substrate

著者名: 藤田 敦士(金沢大学),丸山 裕司(金沢大学),土谷 拓光(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),幸本 徹哉(シー・ヴィ・リサーチ),川浦 廣(シー・ヴィ・リサーチ)

著者名(英語): Atsushi Fujita(Kanazawa University),Yuji Maruyama(Kanazawa University),Takumi Tsucyiya(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: 誘導熱プラズマ|炭化シリコン|高速酸化|ループ型|エリプソメータ|XPS

要約(日本語): 筆者らは，熱プラズマによる大面積にわたる超高速処理を目指し，これまでにループ型誘導熱プラズマ(Loop-ICTP)装置を開発している。この装置はループ型トーチを円型コイルにより挟み込み，トーチ面に垂直な交番磁界を印加して誘導熱プラズマを維持するものである。このLoop-ICTPの一部を基板の表面上に生成することにより，高速処理が可能となる。Si基板に対しては 80 mm の長さで超高速な酸化膜生成を確認している。本報では，現在半導体の分野でパワーデバイス用材料として期待されているSiC基板においてもこのループ装置による表面酸化処理が応用可能か試験した。その結果，Loop-ICTPにより 10 分間の照射で 110 nmの酸化膜が得られることを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 705 Kバイト