太陽電池用電極溝作製技術に適用可能な沿面放電のSiエッチング特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-115

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Evaluation of Etching Characteristics of Silicon for Solar Cell Manufacturing Techniques using Surface Discharge

著者名: 西田 和貴(宇部工業高等専門学校),濱田 俊之(宇部工業高等専門学校)

著者名(英語): Kazuki Nishida(National Institute of Technology, Ube College),Toshiyuki Hamada(National Institute of Technology, Ube College)

キーワード: 沿面放電|エッチング|シリコン|太陽電池

要約(日本語): 太陽電池用単結晶シリコン基板の表面には,光反射率を低減させるための反射防止膜（SiNx等）が受光面に形成されている。この反射防止膜が形成されている太陽基板上に受光面電極を形成する際には,反射防止膜が電力取り出しの障害となるため,電極形成部の反射防止膜を除去した電極溝を作成するのが望ましい。著者らは沿面放電プラズマを用いて太陽電池用シリコン基板上に形成された反射防止膜を電極パターン状にエッチングした電極溝の作成に成功している。本報告では，現在明らかでない沿面放電によるエッチングの進展機構についてシリコン材料のエッチング状況を測定することで検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 172 Kバイト