電界制御下での同軸イオン加速法による低摩擦炭素薄膜の生成
電界制御下での同軸イオン加速法による低摩擦炭素薄膜の生成
カテゴリ: 全国大会
論文No: 1-117
グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集
発行日: 2017/03/05
タイトル(英語): Low friction carbon thin-film deposition under the electric field control by coaxial ion acceleration method.
著者名: 石川 有宰(日本大学),山田 翔大(日本大学),芦澤 好人(日本大学),関口 純一(日本大学),浅井 朋彦(日本大学),高津 幹夫(平和電機),平塚 傑工(ナノテック)
著者名(英語): Yusai Ishikawa(Nihon University),Shoudai Yamada(Nihon University),Yoshito Ashizawa(Nihon University),Jyunichi Sekiguchi(Nihon University),Tomohiko Asai(Nihon University),Mikio Takatsu(Heiwa Electric Co.,Ltd),Masanori Hiratsuka(Nanotec Corp,)
キーワード: ダイヤモンドライクカーボン|電磁加速|電界制御
要約(日本語): ダイヤモンドライクカーボン(Diamond-Like Carbon: DLC)は多岐にわたり応用されており,特にトライボロジー分野では摩擦係数低減を目的とした研究が行われている.この摩擦特性はDLCの水素含有率,結晶構造によって大きく変化することが知られている.本研究が対象とするDLC膜の生成手法は,同軸イオン加速法によるものであり,この手法では放電ガスが水素を含む必要がなく,また,放電ガスに水素をドープすることで,膜中の水素含有率を制御できる.また,本実験では,イオンの入射エネルギーの増大とマクロパーティクル除去のため,電界制御を組み合わせた.今回,金属基板に対し,同軸イオン加速法と電界制御を組み合わせて生成したDLC膜の摩擦係数の評価を行った.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 230 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
