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電界制御下での同軸イオン加速法による低摩擦炭素薄膜の生成

電界制御下での同軸イオン加速法による低摩擦炭素薄膜の生成

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-117

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Low friction carbon thin-film deposition under the electric field control by coaxial ion acceleration method.

著者名: 石川 有宰(日本大学),山田 翔大(日本大学),芦澤 好人(日本大学),関口 純一(日本大学),浅井 朋彦(日本大学),高津 幹夫(平和電機),平塚 傑工(ナノテック)

著者名(英語): Yusai Ishikawa(Nihon University),Shoudai Yamada(Nihon University),Yoshito Ashizawa(Nihon University),Jyunichi Sekiguchi(Nihon University),Tomohiko Asai(Nihon University),Mikio Takatsu(Heiwa Electric Co.,Ltd),Masanori Hiratsuka(Nanotec Corp,)

キーワード: ダイヤモンドライクカーボン|電磁加速|電界制御

要約(日本語): ダイヤモンドライクカーボン(Diamond-Like Carbon: DLC)は多岐にわたり応用されており,特にトライボロジー分野では摩擦係数低減を目的とした研究が行われている.この摩擦特性はDLCの水素含有率,結晶構造によって大きく変化することが知られている.本研究が対象とするDLC膜の生成手法は,同軸イオン加速法によるものであり,この手法では放電ガスが水素を含む必要がなく,また,放電ガスに水素をドープすることで,膜中の水素含有率を制御できる.また,本実験では,イオンの入射エネルギーの増大とマクロパーティクル除去のため,電界制御を組み合わせた.今回,金属基板に対し,同軸イオン加速法と電界制御を組み合わせて生成したDLC膜の摩擦係数の評価を行った.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 230 Kバイト

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