パワーモジュール封止用絶縁ゲル中の急峻電圧波形による劣化現象

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-142

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Cavity propagation under steep-front voltage in silicone gel for encapsulation of power modules

著者名: 三谷 卓矢(東京大学),江尻 開(東京大学),佐藤 正寛(東京大学),熊田 亜紀子(東京大学),日髙 邦彦(東京大学),山城 啓輔(富士電機),早瀬 悠二(富士電機),高野 哲美(富士電機)

著者名(英語): Takuya Mitani(The University of Tokyo),Haruki Ejiri(The University of Tokyo),Masahiro Sato(The University of Tokyo),Akiko Kumada(The University of Tokyo),Kunihiko Hidaka(The University of Tokyo),Keisuke Yamashiro(Fuji Electric Co., LTD.),Yuji Hayase(Fuji Electric Co., LTD.),Tetsumi Takano(Fuji Electric Co., LTD.)

キーワード: パワーモジュール|シリコーンゲル|部分放電|立ち上がり時間|キャビティー進展長

要約(日本語): 近年利用が広まるIGBT モジュールの絶縁には、シリコーンゲルが用いられる。IGBT モジュールでは部分放電によって、キャビティーという、樹枝状の劣化部分が基板とゲルの界面に形成される。実際のIGBT では立ち上がりが数μs 以下のPWM 波形が印加される。本研究では、IGBT モジュールの高耐圧化・長寿命化に資することを目的として、数十 nsから数百 nsで立ち上がる電圧を印加した際のキャビティー進展を調査した。キャビティー進展長と立ち上がり時間の関係を調査した結果、立ち上がり時間が短くなると、進展長が大きくなる傾向がわかった。これは、印加電圧が部分放電開始電圧に達してから部分放電が生じるまでの時間遅れによって、立ち上がり時間が短いほど、印加電圧の瞬時値が大きくなるためだと考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 622 Kバイト