商品情報にスキップ
1 1

樹脂モールドされたセラミックス絶縁基板における絶縁破壊までの部分放電発生位相角特性

樹脂モールドされたセラミックス絶縁基板における絶縁破壊までの部分放電発生位相角特性

通常価格 ¥440 JPY
通常価格 セール価格 ¥440 JPY
セール 売り切れ
税込

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-007

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Phase resolved Partial Discharge Characteristics of Resin Molded Insulation Substrate till breakdown

著者名: 秋永 優也(九州工業大学),満留 博(九州工業大学),真木 洵耶(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学),中村 瑤子(富士電機),谷口 克己(富士電機),池田 良成(富士電機),岡本 健次(富士電機)

著者名(英語): Yuya Akinaga(Kyusyu Institute of Technology),Hiroshi Mitsudome(Kyusyu Institute of Technology),Jyunya Maki(Kyusyu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyusyu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyusyu Institute of Technology),Yoko Nakamura(Fuji Electric Co., LTD.),Katsumi Taniguchi(Fuji Electric Co., LTD.),Yoshinari Ikeda(Fuji Electric Co., LTD.),Kenji Okamoto(Fuji Electric Co., LTD.)

キーワード: 部分放電|パワーモジュール|劣化診断

要約(日本語): 近年,SiCやGaNをなどの次世代半導体を搭載したパワーモジュールの開発が進むとともに,使用される絶縁材料の高電圧対策が重要となっている。そこで著者らは,エポキシ樹脂モールドされたセラミックス絶縁基板をパワーモジュールモデルとして,長期課電を施しつつ部分放電発生位相角(φ-q)特性および平均的な部分放電電荷量の経時変化を試料の絶縁破壊が生じるまで評価した。その結果,φ-q特性は2分程度以前から徐々に特性を変化させ,絶縁破壊から1分前と課電開始初期のφ-q特性は明らかに異なった。今後は詳細な劣化メカニズムを評価するとともに,本特性変化を利用した余寿命推定を検討する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 502 Kバイト

販売タイプ
書籍サイズ
ページ数
詳細を表示する