高温誘電特性における窒化アルミニウムおよび窒化ケイ素基板の特性比較

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-049

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Comparison of aluminum nitride and silicon nitride substrates in high temperature dielectric properties

著者名: 阿部 剛志(九州工業大学),堀 貴文(九州工業大学),末永 道哉(九州工業大学),今給黎 明大(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学),塩田 裕基(三菱電機),西村 隆(三菱電機)

著者名(英語): Tsuyoshi Abe(Kyushu Institute of Technology),Takafumi Hori(Kyushu Institute of Technology),Michiya Suenaga(Kyushu Institute of Technology),Akihiro Imakiire(Kyushu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology),Hiroki Shiota(Mitsubishi Electric Corporation),Takashi Nishimura(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 窒化アルミニウム|窒化ケイ素|絶縁基板|セラミックス|インピーダンスプロット

要約(日本語): パワーモジュールの高出力密度化に伴い、更なる大容量化および小型化が求められている。稼働環境がより高温になると、パワーモジュールの高温電気特性評価が重要となる。本報は、窒化アルミニウム（AlN）および窒化ケイ素（Si3N4）絶縁基板の室温から400℃までの誘電特性を評価し、比較検討した結果について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 469 Kバイト