Cu2ZnSnS4ナノ粒子塗布膜のSe化アニールとアニール条件の改善

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-082

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル：Cu₂ZnSnS₄ナノ粒子塗布膜のSe化アニールとアニール条件の改善

タイトル(英語): Selenization of Cu₂ZnSnS₄ Nanoparticle Films and the Tuning of the Annealing Condition

著者名: 瀧 駿也(早稲田大学),森内 洸太(早稲田大学),宇留野 彩(早稲田大学),張 険峰(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Taki Shunya(Waseda University),Moriuchi Kota(Waseda University),Uruno Aya(Waseda University),Zhang Xianfeng(Waseda University),Kobayashi Masakazu(Waseda University)

キーワード: ナノ粒子|太陽電池材料

要約(日本語): CZTSのSの一部をSeと置き換えたCu₂ZnSn(S,Se)₄(CZTSSe)は、Se組成比(Se/(S+Se))の制御により、バンドギャップを1.05?1.51 eVの範囲に変化させることができるため太陽電池の光吸収層への応用が期待されている。今回、副生成物形成の抑制に向け、様々なアニール条件でCZTSナノ粒子塗布膜のSe化を試み、特にSn添加及びCZTS温度の昇温時間が結晶性や副生成物形成の抑制に与える影響を検討した。結果から昇温時間が短い場合、副生成物の形成は少なく昇温時間が副生成物の形成に大きな影響を与えていることが明らかとなった。アニール条件を工夫することで副生成物形成をより抑制することが可能であると考えられるため、デバイス化した際に太陽電池特性の改善も期待できると考えられた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 662 Kバイト