AgGaTe2薄膜内における副生成物が光学的特性に与える影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-083

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル：AgGaTe₂薄膜内における副生成物が光学的特性に与える影響

タイトル(英語): Low temperature photoluminescence properties of AgGaTe₂ thin films with various inclusions

著者名: 鬼界 伸一郎(早稲田大学),宇留野 彩(早稲田大学),笹原 宏希(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Shinichiro Kikai(Waseda University),Aya Uruno(Waseda University),Hiroki Sasahara(Waseda University),Masakazu Kobayashi(Waseda University)

キーワード: 近接昇華法|フォトルミネッセンス

要約(日本語): これまでに近接昇華法を用いてSi基板上に高品質なAgGaTe₂薄膜の作製に成功している。Ag₂TeやAgGa₅Te₈を含むAgGaTe₂薄膜を測定することで、薄膜中に含まれるAg₂TeやAgGa₅Te₈などの副生成物の種類や濃度が光学的特性に影響を与えることが確認された。成長条件によってはバンド端発光が消失してしまうほど副生成物が混入していると考えられる。励起強度を変えてPL測定を行ったところバンド端発光は自由励起子由来の発光であることが示された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 452 Kバイト