圧電MEMSダイアフラムセンサ用ゾル・ゲルPZT薄膜の残留応力評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-123

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Residual stress of sol-gel derived PZT films for piezoelectric MEMS diaphragm sensors

著者名: 塩見 丈(京都工芸繊維大学),山下 馨(京都工芸繊維大学),西海 太貴(京都工芸繊維大学),野田 実(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Jo Shiomi(Kyoto Institute of Technology),Kaoru Yamashita(Kyoto Institute of Technology),Taiki Nishiumi(Kyoto Institute of Technology),Minoru Noda(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: PZT|残留応力|結晶配向|ゾル・ゲル法|焼成条件

要約(日本語): 我々は空中超音波での3次元計測を目的として，圧電MEMSダイアフラム型超音波センサを開発している。これまでダイアフラムが上向きに撓むことで高感度となることを明らかにし，高感度の上向き撓みを自動的に実現するセンサ作製プロセスを開発してきた。ゾル・ゲルPZT膜の引張応力が上向き撓みを実現するが，応力が強すぎると撓み量そのものが減少するため，PZTの残留応力制御が重要である。今回我々は，ゾル・ゲル製膜条件によりPZT残留応力を制御することを試みた。今回の条件では(100)配向400℃仮焼成膜が残留応力の点から最適であることが分かったが，今後電気特性を含めた評価を進める予定である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 352 Kバイト