高圧水素ガス中で水素の影響を受けないCr-Nひずみセンサ薄膜

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-124

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): No effect of hydrogen on Cr-N strain sensitive thin films in high pressure hydrogen gas

著者名: 丹羽 英二(電磁材料研究所),三上 浩(昭和測器)

著者名(英語): Eiji Niwa(Research Institute for Electromagnetic Materials),Hiroshi Mikami(Showa Measuring Instruments Co.,Ltd.)

キーワード: ひずみセンサ|水素|薄膜|Cr-N

要約(日本語): 近年、家庭用燃料電池の普及、燃料電池自動車の販売および水素ステーションの建設など水素エネルギー社会の実現に向けた動きが加速しつつある。そのような中、水素環境下で用いるひずみセンサが必要とされ、（株）共和電業から販売されるに至ったが、ゲージ率は約2.5と低い。そこで、高圧水素中で使用可能な高感度なひずみセンサの開発を目的として、ゲージ率が約14と大きいCr-N薄膜への高圧水素ガス環境下での水素の影響を調べた結果、Cr-N薄膜は水素の影響を受けないことが確認された。その結果について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 506 Kバイト