誘電泳動集積法による電界効果トランジスタ型カーボンナノチューブガスセンサの作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-145

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Fabrication of carbon nanotube field effect transistor gas sensor by dielectrophoresis

著者名: 大関 貴大(九州大学),金川 将也(九州大学),中野 道彦(九州大学),末廣 純也(九州大学)

著者名(英語): Takahiro Ozeki(Kyushu University),Masaya Kanagawa(Kyushu University),Michihiko Nakano(Kyushu University),Junya Suehiro(Kyushu University)

キーワード: 誘電泳動集積法|カーボンナノチューブ|電界効果トランジスタ

要約(日本語): 金属電極間をナノワイヤで橋絡した電子デバイスは、誘電泳動集積法(DEP)によって得られる。この手法では、集積と同時に電極間のインピーダンを測定することで、集積量を定量化することができる。我々は、DEPによって、シリコン層と絶縁体層の2層を有するウエハーの絶縁体層上のドレイン電極とソース電極間をカーボンナノチューブ(CNT)で橋絡させ、各金属電極とCNTを電気的に接続させた。加えて、シリコン層にゲート電極を配することで、電界効果トランジスタ(FET)型CNTガスセンサを作製した。作製したCNT-FETガスセンサのサブスレッショルド係数は最小で約5V/decとなった。これより、電極間に集積したCNTの量とサブスレッショルド係数を関連づけることが出来る。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 491 Kバイト