相互インダクタンスを用いたサージ電圧とスイッチング損失抑制可能なゲート駆動回路の設計手法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Design of a Gate Drive Circuit Considering Mutual Inductance for Suppressing Surge Voltage and Switching Loss

著者名: 緒形 航(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Ko Ogata(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 相互インダクタンス|スイッチング特性|寄生インダクタンス|SiC-MOSFET

要約(日本語): 近年，次世代パワーデバイスの研究・開発が活発的に行われてきており，電力変換回路の高パワー密度化が急速に達成されてきている。その一方スイッチング動作の高速化に伴い，nHオーダのインダクタンスによっても回路特性が変化してしまい，誤動作によって回路が故障する原因となっている。次世代パワーデバイスを適切に動作させるためにはゲート抵抗の値を決めるだけではなく，ゲート駆動回配線構造を適切に設計する必要がある。本稿では，SiC-MOSFETを用いたスイッチング回路のターンオン，オフ時において異なるゲート駆動回路構造を適用することにより，スイッチング特性を改善できることを実験により示す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 304 Kバイト