LC共振を利用したSiC-MOSFETの寄生インダクタンスの評価方法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル：LC共振を利用したSiC-MOSFETの寄生インダクタンスの評価方法

タイトル(英語): A Measurement Method of Parasitic Inductances of an SiC-MOSFET utilizing LC Resonant Phenomenon

著者名: 昆野 賢太郎(東京工業大学),中村 悠太(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),中山 靖(三菱電機)

著者名(英語): Kenataoro Konno(Tokyo Institute of Technology),Yuta Nakamura(Tokyo Institute of Technology),Masaki Kuzumoto(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Yasushige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corp.),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corp.),Yasushi Nakayama(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: 寄生インダクタンス|SiC-MOSFET|測定|LC共振

要約(日本語): LC共振を利用することでMOSFETのドレイン，ソースの寄生インダクタンスとその結合係数kの簡易な評価方法を提案し，測定結果を報告する。評価対象としてTO-247パッケージでモールドされたディスクリートのSiC-MOSFETを用いた。本MOSFETは裏面にベース板が露出している。そのベース板に並行平板のキャパシタC_Bを接続する。C_Bと寄生インダクタンスがLC共振する経路でインピーダンスを測定することで，寄生インダクタンスを算出した。さらにドレイン，ソース間のインピーダンスを測定し，寄生容量C_DSとのLC共振を用いることで経路中のインダクタンスを算出した。先に算出した寄生インダクタンスを用いて，結合係数kを分離した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 589 Kバイト