多層セラミック基板を用いたSiCパワーモジュールの低インダクタンス化の効果に関する一検討 -基板実装したスナバコンデンサの容量がサージ電圧に与える影響-

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-008

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Low Inductance SiC Power Module with Multi-Layered Ceramic Substrate -Surge Voltage Suppression with the embedded Snubber Capacitance on the Module Substrate-

著者名: 福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Shuhei Fukunaga(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: SiCパワーモジュール|多層セラミック基板|Cスナバ|MLCC

要約(日本語): 高電圧の電力変換回路にSiCパワーデバイスを適用することで、Siパワーデバイスと比べ高速スイッチング動作が可能となり、回路の小型化や低損失化が期待される。一方で高速スイッチング動作は、回路の寄生インダクタンスにより大きなピークサージ電圧が発生し、デバイスを破壊する恐れがある。以前の研究において高速スイッチング動作時に生じるピークサージ電圧を低減するため、寄生インダクタンスの低減を目的とした多層セラミック基板を用いたSiCハーフブリッジモジュールを開発し、開発したモジュールに直接スナバコンデンサを実装してピークサージ電圧を低減できることを確認している。本稿ではさらにピークサージ電圧のスナバコンデンサ容量依存性の検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 535 Kバイト