SiC-MOSFETのMHz動作に向けたRCDスナバ用ダイオードの適性検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Verification of RCD Snubber Diode Optimized for MHz-Switching with SiC-MOSFET

著者名: 山下 夕貴(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Yuki Yamashita(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: SiC-MOSFET|高速スイッチング|スナバ|リンギング|ダイオード

要約(日本語): SiCデバイスは高速スイッチングにより電力変換回路の小型化を行える一方、高速動作下ではEMIノイズや信頼性の低下が懸念される。リンギング対策の一つであるRCDスナバ回路は、RCパラメータのみならず、ダイオードも最適なものを選定する必要がある。本稿ではSiC-MOSFETの高速スイッチングに最適なスナバダイオードを、動特性および周波数特性評価により選定した。評価測定の結果、逆回復が原理的に存在しないSiC-SBD(Schottky Barrier Diode)をスナバダイオードとして用いれば、遅延を最小限にとどめながら、ノイズ抑制を効果的に行えることが確認された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 477 Kバイト