走査型プローブ顕微鏡による炭化ケイ素製ショットキーバリアダイオードの局所物性観測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-010

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Observation of local material properties on SiC-Schottky barrier diode using scanning probe microscopy

著者名: 潤間 威史(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)

著者名(英語): Takeshi Uruma(Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh(Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto(Chiba Institute of Technology)

キーワード: 表面電位|原子間力顕微鏡|ショットキーバリアダイオード|ケルビンプローブフォース顕微鏡|炭化ケイ素

要約(日本語): 走査型プローブ顕微鏡の一つである，AFM/KFM/SCFMの複合装置を開発し，デバイスへの電圧印加下において，局所電子物性評価を行った．市販の炭化ケイ素製ショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を断面研磨し，我々が開発しているAFM/KFM/SCFMによって観察した．表面電位像から測定領域を推定した結果，本測定の領域はカソード電極寄りのSiC領域であることが考えられる．また，異なる箇所における表面電位差を表面準位へ捕捉された電子による影響と仮定すると，当該領域にてSCFMの信号がピーク値を持つことから，SCFMによって表面準位を評価し得ることが示された．従って本開発装置は，SiC製デバイスの動作下観察に適用あることが示唆された．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 985 Kバイト