SiC-MOSFET動作時における誤ターンオンのHigh-sideゲート抵抗依存性に関する検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-011

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Study on Self Turn-on Phenomenon of SiC-MOSFET Depended on High-side Gate Resistance

著者名: 倉持 拓弥(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Takuya Kuramochi|Takanori Isobe|Tadano Hiroshi

キーワード: SiC-MOSFET|高速駆動|誤ターンオン

要約(日本語): SiC-MOSFETはSi-IGBTと比べて高速スイッチングが可能であり、パワエレ機器に適用すれば小型化や高効率化が可能と期待されている。しかし、高速で動作させた際にMOSFETの誤ターンオンが発生し問題となっている。この誤ターンオンは回路内部の寄生成分やゲート抵抗、電圧などの様々なパラメータの影響で発生する。そのため、これらのパラメータが誤ターンオンに与える影響を検証する必要がある。そこで、本研究ではHigh-side側のゲート抵抗に着目し、MOSFETの誤ターンオンにおけるゲート抵抗の影響を実験とデバイスシミュレーションにより検証したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 491 Kバイト