SiC SBD接合容量モデルの高周波領域における精度検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Investigation of Precision for Junction-Capacitance Model of SiC SBDs in High Switching Frequency

著者名: 前田 凌佑(京都大学),奥田 貴史(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Ryosuke Maeda(Kyoto University),Takafumi Okuda(Kyoto University Graduate School of Engineering),Takashi Hikihara(Kyoto University Graduate School of Engineering)

キーワード: SiC|SBD|接合容量モデル|高周波

要約(日本語): 大電力でのスイッチングの高速化にはワイドバンドギャップ半導体であるSiCを利用したデバイスに注目が集まっている. しかし高周波スイッチングのブーストコンバータにおいてSiC ショットキーバリアダイオード(以下 SBD)が機能していない状態が確認されている.本報告ではどの物理現象, パラメータがSiC SBDの特性を左右するかを理解するため, C-V, I-V特性を表した式に基づきモデルを作成する. そしてSiC SBDを利用した半波整流回路について, 高周波の正弦波を入力した際の作成したモデルのシミュレーションと実際の測定を比較, 検証する.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 216 Kバイト