素子単独SiC-MOSFETによる直流電圧10,000Vのスイッチング特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-013

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Dynamic Characteristics of a Non-Series Connected SiC MOSFET Switching at 10 kV

著者名: 北井 秀憲(産業技術総合研究所),穂積 康雄(産業技術総合研究所),福田 憲司(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Hidenori Kitai(AIST),Yasuo Hozumi(AIST),Kenji Fukuda(AIST)

キーワード: 炭化ケイ素半導体|スイッチング特性

要約(日本語): 直流電圧10,000 V以上のスイッチングをするためには、現在市販されている最高耐圧の電圧制御トランジスタが6,500V IGBTであるために、直列接続か多段接続が必要である。しかしながら、多段直列接続は、部品点数が多く、非同期的なゲート信号による直列接続された素子間の分担電圧の不平衡が生じることを防止するために、ゲート駆動回路が複雑になる。SiCデバイスは10,000 Vを超える電圧領域でも、多段直列接続することなく、素子単独で使用することが可能であることが報告されている。そこで、我々は、多段直列接続することなく、素子単独で定格電圧13,000 VのSiC MOSFETを製作し、直流電圧10,000 Vでスイッチング試験を実施したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 292 Kバイト