GaN FET搭載ゲートドライバによるSiC MOSFETの20 MHz駆動

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-017

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): 20-MHz Switching of SiC MOSFET by a Gate Driver Using GaN FETs

著者名: 奥田 貴史(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Takafumi Okuda(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: ゲートドライバ|GaN FET|高周波駆動|ハードスイッチング

要約(日本語): 本グループでは駆動周波数10 MHzを超える高周波電力変換回路の実現を目指している．現在，絶縁ゲートドライバの高周波化が大きなボトルネックとなっている．そこで我々は，GaN FETを用いたゲートドライバを昨年度に提案した．GaN FETは優れたスイッチング特性を有しており，ゲートドライバを高周波化するとともに駆動能力の向上が期待できる．本報告では，提案したゲートドライバの動作について詳細に調べ，ゲートドライバの駆動周波数を制限している要因について検討した．その結果，駆動周波数の向上に成功し，本ゲートドライバを用いることでSiCパワーMOSFETを20 MHzで駆動することに成功した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 293 Kバイト