試作SiC-pチャネルMOSFETを適用したフル-SiC相補型インバータの実機検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-019

グループ名: 【全国大会】平成29年電気学会全国大会論文集

発行日: 2017/03/05

タイトル(英語): Experimental demonstration of full-SiC complementary inverter with laboratory-fabricated SiC-pMOSFET

著者名: 奥田 一真(筑波大学),高嶋 薫(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学)

著者名(英語): Kazuma Okuda(University of Tsukuba),Kaoru Takashima(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba)

キーワード: 相補型インバータ|SiC-pMOSFET|出力電圧誤差低減

要約(日本語): デッドタイムに起因する出力電圧誤差を低減することを目的として相補型インバータに着目し，試作SiC-pMOSFETと既製SiC-nMOSFETを使用したフル-SiC相補型インバータの試作と動作実験を行った。実機による原理検証の観点から，実験は主回路構成が最もシンプルとなるハーフブリッジインバータで行った。±100 V直流電源，出力電流1 A, 50 Hzの条件で試作インバータの運転を行った結果，試作インバータは交流出力可能であることを出力波形から確認した。動作実験時での出力電流の100次までの全高調波歪(THD)は4.6%であり，デッドタイム補償なしでもTHDを低く保つことが出来た。インバータ運転時の素子電流波形から，SiC-pMOSFETの逆回復電流はSiC-nMOSFETと同様に非常に小さいことを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 882 Kバイト